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5551三级管引脚参数,2n5551参数与管脚图-KIA MOS管
2N5551三极管是常用的半导体器件，为NPN晶体管，用于开关或放大电子信号以及电力，它至少有三个端子，用于连接外部电路。2N5551三极管主要设计用于高压电路，用于开关和放大等一般用途，集电极到发射极的电压为160V，集电极到基极的电压为180V，因此可以简单地...www.kiaic.com/article/detail/4646.html 2023-12-07
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nce01p18k参数及代换,nce01p18k引脚图,KIA23P10A-KIA MOS管
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，广泛应用电动车报警器、开关等领域。www.kiaic.com/article/detail/4645.html 2023-12-06
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MOS管驱动电压一般多少？最大多少？详解-KIA MOS管
在一些使用MOS进行大电流开关应用的场合中，由于电流比较大，此时MOS由于Rds导通内阻的存在，会导致MOS发热比较严重，为了减小MOS管的发热，我们一般通过提高Gate驱动电压来降低MOS管的Rds导通内阻，从而降低发热。www.kiaic.com/article/detail/4644.html 2023-12-06
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耗尽型mos管符号、原理、用途-KIA MOS管
耗尽型：当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型MOS管的VGS (栅极电压)可以用正、零负电压控制导通。www.kiaic.com/article/detail/4643.html 2023-12-06
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NCE80H16代换,NCE80H16参数,保护板逆变器场效应管-KIA MOS管
NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A场效应管具有100%雪崩测试，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）等特性，封装形式：TO-263、220、247、3P，广泛应用于锂电池保护板、控制器、逆变...www.kiaic.com/article/detail/4642.html 2023-12-05
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轨到轨运放和一般运放有哪些区别详解-KIA MOS管
一般的运放，它们具有输入、输出电压范围的限制。而轨到轨运放正是为了克服这一局限性而设计的。轨到轨运放是指其输入和输出均能达到电源电压范围（通常是接近于正负电源电压）的一种放大器电路。www.kiaic.com/article/detail/4641.html 2023-12-05
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什么是功率电感,功率电感作用特点详解-KIA MOS管
功率电感即功率电感（Chip inductors），又称为大电流电感和表面贴装高功率电感，是用绝缘导线绕制而成的电磁感应元件。当电流经过导线时，导线的四周会产生一定的电磁场，并在处于这个电磁场中的导线产生感应电动势--自感电动势，我们将这个作用称为电磁感应。...www.kiaic.com/article/detail/4640.html 2023-12-05
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ru6888r场效应管参数,ru6888r场效应管代换,3508A-KIA MOS管
ru6888r场效应管代换KNX3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为70A，RDS（ON）=7.5mΩ（典型值）@ VGS=10v；KNX3508A 80V 70A场效应管具有100%雪崩测试，可靠、坚固耐用，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）等特性，高效优质。www.kiaic.com/article/detail/4639.html 2023-12-04
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78m12三端稳压器参数,引脚图,电路图-KIA MOS管
78M12是一个12V输出电压的三端正向稳压器，可固定输出一定的电压的特点使它们的应用范围很广，L78M系列有TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，可用于各种应用。www.kiaic.com/article/detail/4638.html 2023-12-04
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电流放大器作用原理,电流放大器电路图-KIA MOS管
电流放大器一般是由电源、电力电子电路、感性负载、控制器等四个部分构成，采用输出电流闭环控制，其基本结构如图所示。www.kiaic.com/article/detail/4637.html 2023-12-04
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TPH2R608NH参数,tph2r608nh场效应管代换KIA2807N-KIA MOS管
KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度电池设计；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；封装形式：TO-247。www.kiaic.com/article/detail/4636.html 2023-12-01
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70n08场效应管参数,70n08场效应管代换,低压MOS管-KIA MOS管
70n08场效应管代换?KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8m?(Max.)@VGS=10V；采用KIA半导体的先进的沟槽工艺技术生产；封装形式：TO-263/220。www.kiaic.com/article/detail/4633.html 2023-12-01
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mos管驱动芯片,mos管驱动芯片选型-KIA MOS管
驱动芯片的存在主要是为了开通MOS管，为了提供MOS管开通所需要的电压，需要自举升压电路，驱动芯片的意义正是自举升压相关的一些电路。www.kiaic.com/article/detail/4635.html 2023-12-01
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abs-210,abs210整流桥,abs210整流桥参数-KIA MOS管
ABS210在ABS-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款小方桥、贴片整流桥堆。ABS210的电性参数是：正向电流(Io)为2A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，恢复时间(Trr)达到500ns，其中有4条引线。www.kiaic.com/article/detail/4634.html 2023-12-01